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50年印刷電路板的歷程

2011-07-08 10:10 來源:互聯網 責編:Victoria

摘要:
最初知道“印制板”是在1948年,當時是進入東京芝浦電氣株式會社剛2年的新員工,受課長指示開始調查“印制板”。到允許日本人閱覽的美國駐軍圖書室查閱,偶然發現了“印制電路技術”為題的技術論文。
        【CPP114】訊:印制線路板(PWB)技術50年間發展以作者(伊藤瑾司)的見解分為6個時期,介紹如下:

  1、PWB誕生期:1936年~(制造方法:加成法)

  作者最初知道“印制板”是在1948年,當時是進入東京芝浦電氣株式會社剛2年的新員工,受課長指示開始調查“印制板”。到允許日本人閱覽的美國駐軍圖書室查閱,偶然發現了“印制電路技術”為題的技術論文。當時沒有復印機,需要的文獻只能用筆抄寫,論文全部約有200頁,詳細敘述了涂抹法、噴射法、真空沉積法、蒸發法、化學沉積法、涂敷法等各種工藝,所介紹的都是絕緣板表面添加導電性材料形成導體圖形,稱為“加成法工藝”。使用這類生產專利的印制板曾在1936年底時應用于無線電接收機中。

  2、PWB試產期:1950年~(制造方法:減成法)

  作者在進入沖電氣工業公司1年后,在1953年起通信設備業對PWB開始重視,制造方法是使用覆銅箔紙基酚醛樹脂層壓板(PP基材),用化學藥品溶解除去不需要的銅箔,留下的銅箔成為電路,稱為“減成法工藝”。在一些標牌制造工廠內用此工藝試做PWB,以手工操作為主,腐蝕液是三氯化鐵,濺上衣服就會變黃。當時應用PWB的代表性產品是索屁制造的手提式晶體管收音機,應和PP基材的單面PWB。在1958年日本出版了書名為“印制電路”的最早的有關PWB啟蒙書藉。

  3、PWB實用期:1960年~(新材料:GE基材登場)

  1955年沖電氣公司與美國Raytheon進行技術合作,制造“海洋雷達”。Raytheon公司指定PWB要應用覆銅箔玻璃布環氧樹脂層壓板(GE基材)。于是日本開發GE基材新材料并完成國產化,實現國產海洋雷達批量生產。1960年起沖電氣公司開始在批量生產電氣傳輸裝置的PWB大量用到GE基板材料。

  1962年日本“印制電路工業會”成立。1964年美國光電路公司開發出沉厚銅化學鍍銅液(CC—4溶液),開始了新的加成法制造PWB工藝。日立化成公司引進了CC—4技術。用于PWB的國產GE基板在初期有加熱翹曲變形、銅箔剝離等問題,材料制造商逐漸改進而提高,1965年起日本有好幾家材料制造商開始批量生產GE基板,工業用電子設備用GE基板,民用電子設備用PP基板,已成為常識。

  4、PWB跌進期:1970~(MLB登場,新安裝方式登場)

  沖電氣公司等通信設備制造企業各自設立PWB生產工廠,同時PWB專業制造公司也快速崛起。這時,開始采用電鍍貫通孔實現PWB的層間互連。在1972~1981年的10年間,日本PWB生產金額約增長6倍(1972年產值471億日元,1981年產值3021億日元),是大躍進的紀錄。

  1970年起電訊公司的電子交換機用PWB用到3層印制板,此后大型計算機用到多層印制板(MLB),由此MLB得到重用而急速發展,超過20層的MLB用聚酰亞胺樹脂層壓板作為絕緣基板。這個時期的PWB從4層向6、8、10、20、40、50層…,更多層發展,同時實行高密度化(細線、小孔、薄板化),線路寬度與間距從0.5mm向0.35、0.2、0.1mm發展,PWB單位面積上布線密度大幅提高。

  PWB上元件安裝方式開始了革命性變化,原來的插入式安裝技術(TMT)改變為表面安裝技術(SMT)。引線插入式安裝方法在PWB上應用有20年以上了,并都依靠手工操作的,這時也開發出自動元件插入機,實現自動裝配線。SMT更是采用自動裝配線,并實現PWB兩面貼裝元件。

  5、MLB躍進期:1980年~(超高密度安裝的設備登場)

  在1982年~1991年的10年間,日本PWB產值約增長3倍(1982年產值3615億日元,1991年10940億日元)。MLB的產值1986年時1468億日元,追上單面板產值;到1989年時2784億日元,接近雙面板產值,以后就MLB占主要地位了。

  1980年后PCB高密度化明顯提高,有生產62層玻璃陶瓷基MLB,MLB高密度化推動移動電話和計算機開發競爭。

  6、邁向21世紀的助跑期:1990年~(積層法MLB登場)

  1991年后日本泡沫經濟破滅,電子設備和PWB受影響下降,到1994年后才開始恢復,MLB和撓性板有大增長,而單面板與雙面板產量卻開始一直下跌。1998年起積層法MLB進入實用期,產量急速增加,IC元件封裝形式進入面陣列端接型的BGA和CSP,走向小型化、超高密度化安裝。

  今后的展望

  50多年來PWB發展變化巨大。自1947的發明半導體晶體管以來,電子設備的形態發生大變樣,半導體由IC、ISI、VLSI、…向高集成度發展,開發出了MCM、BGA、CSP等更高集成化的IC。21世紀初期的技術趨向就是為設備的高密度化、小型化和輕量化努力,主導21世紀的創新技術將是“納米技術”,會帶動電子元件的研究開發。


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