凸版印刷構建22/20nmArF掩模生產線
2010-09-17 08:58 來源：日經BP社 責編：Victoria
- 摘要：
- 運用此次的掩模技術有望緩解掩模設計中的限制以及提高晶圓處理工序的生產效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過與晶圓處理工序中轉印時的優點形成的組合效果，實現優異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。
【CPP114】訊：凸版印刷宣布已經建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內，構建了22nm/20nm用的ArF掩模生產線，提供給半導體廠家的試制及量產用途。該技術是與美國IBM聯合開發的。
此次開發的掩模技術工藝為了使用ArF曝光技術來支持20nm工藝，主要采用了以下三項掩模技術。第一，開發出了可支持ArF曝光微細工藝所需的二次圖形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技術。第二，導入名為薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微細圖案的分辨率、尺寸的均勻性和掩模的平坦度，降低了工藝造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，減小了掩模的厚度。隨著工藝的微細化，電磁場偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影響逐漸顯現。此次通過減薄薄膜厚度，減小了這些不良影響。
運用此次的掩模技術有望緩解掩模設計中的限制以及提高晶圓處理工序的生產效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過與晶圓處理工序中轉印時的優點形成的組合效果，實現優異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。該技術的具體細節預定在掩模相關國際會議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國蒙特里）上發布。
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此次開發的掩模技術工藝為了使用ArF曝光技術來支持20nm工藝，主要采用了以下三項掩模技術。第一，開發出了可支持ArF曝光微細工藝所需的二次圖形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技術。第二，導入名為薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微細圖案的分辨率、尺寸的均勻性和掩模的平坦度，降低了工藝造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，減小了掩模的厚度。隨著工藝的微細化，電磁場偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影響逐漸顯現。此次通過減薄薄膜厚度，減小了這些不良影響。
運用此次的掩模技術有望緩解掩模設計中的限制以及提高晶圓處理工序的生產效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過與晶圓處理工序中轉印時的優點形成的組合效果，實現優異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。該技術的具體細節預定在掩模相關國際會議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國蒙特里）上發布。
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